На конференции TSMC Open Innovation Platform (OIP), состоявшейся 23-го числа (по местному времени) в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, компания SK hynix поделилась своим портфелем памяти следующего поколения и стратегией развития, а также подтвердила прочное партнерство с TSMC, получив награду «Партнер года» второй год подряд.
OIP — это платформа открытых инноваций, управляемая TSMC для разработки технологий и сотрудничества с компаниями, которые вместе формируют полупроводниковую экосистему. Каждый год во второй половине года TSMC приглашает компании-участницы OIP и ключевых клиентов на свои экосистемные форумы, проводимые по всему миру, способствуя активному технологическому обмену. SK hynix принимает участие в форумах OIP с 2024 года, представляя свои развивающиеся возможности в области технологий памяти для ИИ, разработанные в рамках стратегического партнерства с TSMC.
В современной экосистеме полупроводников для ИИ сотрудничество между компаниями стало теснее, чем когда-либо. Эпоха, когда проектирование и производство, память и логика оптимизировались в рамках своих собственных доменов, уступила место подходу, при котором компании проектируют и проверяют решения совместно с самых ранних этапов. Проведенная на фоне этого сдвига конференция TSMC OIP в этом году предоставила возможность изучить последние тенденции развития технологий и исследовать новые возможности для сотрудничества. Со своей стороны, SK hynix сосредоточилась на демонстрации своих технологических возможностей и линейки продуктов, одновременно определяя и расширяя свои партнерские отношения с TSMC и другими ключевыми партнерами.
▲ Дизайн стенда SK hynix, несущий послание, подчеркивающее важность памяти в эпоху ИИ
Компания SK hynix представила слоган «Память, стоящая за интеллектом в масштабе» (The Memory behind the Intelligence at Scale) для этой выставки. Это послание отражает общеотраслевую тенденцию, при которой технологии ИИ развиваются, а сферы их применения быстро расширяются, подчеркивая, что поддержание этого роста зависит от поддержки технологий памяти. Это послание также нашло отражение в композиции выставки, где был представлен ряд решений для памяти на разных уровнях — от HBM* до серверной DRAM и eSSD, — которые поддерживают вычисления ИИ и хранение данных.
* HBM (High Bandwidth Memory): высокоценный высокопроизводительный продукт, который вертикально соединяет несколько чипов DRAM для увеличения емкости и значительного повышения скорости обработки данных. HBM разрабатывалась последовательно: 1-е поколение (HBM), 2-е поколение (HBM2), 3-е поколение (HBM2E), 4-е поколение (HBM3), 5-е поколение (HBM3E) и 6-е поколение (HBM4)
▲ Суперчип NVIDIA «Vera Rubin», оснащенный 12-слойной памятью HBM4 емкостью 36 ГБ и SOCAMM2 емкостью 96 ГБ от SK hynix
Выставка продукции была организована на двух основных стендах: HBM и «Память и хранилища, оптимизированные для ИИ». На стенде HBM, который посетители видели сразу справа при входе на стенд, был представлен суперчип NVIDIA «Vera Rubin» вместе с установленными на нем 12-слойной памятью HBM4 емкостью 36 ГБ и SOCAMM2* емкостью 96 ГБ от SK hynix, чтобы посетители могли рассмотреть их вблизи. Рядом с ним пояснительный текст, подробно описывающий роль продуктов SK hynix в Vera Rubin, помог углубить понимание посетителей.
* SOCAMM2 (Small Outline Compression Attached Memory Module2): модуль памяти, специализированный для ИИ-серверов, основанный на маломощной DRAM
На практике 12-слойная память HBM4 емкостью 36 ГБ интегрирована непосредственно вокруг графического процессора Rubin, выступая в качестве высокоскоростного пути передачи данных, который устраняет задержки при передаче данных, возникающие при сложных матричных операциях. Тем временем SOCAMM2 работает как основная системная память для процессора Vera, поддерживая сложные вычислительные процессы и последующее перемещение данных, чтобы ИИ-агенты могли немедленно отражать контекст длинных диалогов в своих ответах.
Вокруг суперчипа были размещены ключевые продукты HBM — 12-слойная HBM4E емкостью 48 ГБ, 16-слойная HBM4 емкостью 48 ГБ и 12-слойная HBM3E емкостью 36 ГБ — рядом с реальным модулем SOCAMM2 емкостью 192 ГБ. Сравнивая продукты, уже установленные в ИИ-ускорителе, с представленной рядом линейкой следующего поколения, посетители могли воочию убедиться в возможностях HBM от SK hynix, которые неуклонно развивались в ногу с прогрессом технологий ИИ.
▲ Линейка серверной DRAM следующего поколения от SK hynix, представленная на этой выставке
С левой стороны стенда была организована витрина, чтобы посетители могли увидеть линейки серверной DRAM и SSD в одном месте. Линейка серверной DRAM включала «256GB 3DS* RDIMM*», которая достигает наибольшей в отрасли емкости, адаптированной для рабочих нагрузок ИИ, наряду с высокоскоростной «128GB MRDIMM*» и «64GB RDIMM», первой в мире, в которой применен 10-нанометровый (нм) техпроцесс шестого поколения (1c)*.
* 3DS (3D Stacked Memory): высокопроизводительная память, которая соединяет два или более чипа DRAM с использованием TSV (Through-Silicon Via) * RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module): серверный модуль памяти, состоящий из нескольких чипов DRAM * MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): продукт со значительно увеличенной скоростью, достигаемой за счет одновременной работы двух рангов — базовых рабочих единиц модуля * Технология техпроцесса 10-нанометрового (нм) класса последовательно развивалась через поколения 1x, 1y, 1z, 1a, 1b и 1c (шестое поколение)
На стенде SSD была представлена линейка, охватывающая различные форм-факторы и условия использования — PEB210 E1.S, PS1101 E3.S и PEB210 M.2, — демонстрирующая возможности решений для хранения данных SK hynix для удовлетворения широкого спектра потребностей клиентов. Модель «PEB210 E1.S», поддерживающая прямое жидкостное охлаждение (DLC), вызвала большой интерес у клиентов, управляющих центрами обработки данных, в то время как «PS1101 E3.S», первый eSSD от SK hynix на базе QLC*, вызвал постоянный поток запросов от корпоративных клиентов.
* QLC: NAND классифицируется по количеству бит, которые могут храниться в одной ячейке — SLC (Single Level Cell, 1 бит), MLC (Multi Level Cell, 2 бита), TLC (Triple Level Cell, 3 бита) и QLC (Quadruple Level Cell, 4 бита). Чем больше объем хранимой информации, тем больше данных может быть размещено на той же площади
▲ Посетитель на стенде SK hynix запрашивает подробную информацию о продукте
На протяжении всей выставки стенд SK hynix посещало постоянное количество профессионалов отрасли, стремящихся поближе познакомиться с решениями памяти для ИИ, которые составляют основной столп инфраструктуры ИИ. Представители компаний также продолжали посещать стенд, чтобы ознакомиться с планами развития и текущими технологическими возможностями SK hynix, а также предложить новое сотрудничество на этой основе.
▲ (Слева) Руководитель группы Джинву Пак (PKG Product TE) и вице-президент Джесик Ли (руководитель отдела перспективных исследований PKG), получающие награду «Партнер года» от имени SK hynix на конференции TSMC OIP
На этом форуме компания SK hynix была названа лауреатом премии «Партнер года» в категории «Интеграция 3DFabric-HBM». Это стало второй победой компании подряд после прошлого года, на этот раз в знак признания сотрудничества, которое подтвердило HBM5 на основе технологии CoWoS* от TSMC для продвижения систем ИИ следующего поколения.
* CoWoS (Chip on Wafer on Substrate): передовая 2.5D-технология корпусирования TSMC, используемая для интеграции нескольких микросхем, таких как HBM и GPU, на единой подложке с целью создания высокопроизводительных ИИ-ускорителей
По мере того как HBM проходит через последовательные поколения, увеличивая количество слоев и пропускную способность, полная реализация этих приростов производительности требует тесной координации с передовой технологией корпусирования, которая интегрирует ее в реальный ИИ-ускоритель. Именно здесь подразделение Package Development компании SK hynix и TSMC совместно проводили валидацию на самых ранних этапах, заложив основу для систем искусственного интеллекта нового поколения — партнерские отношения, которые привели к этой награде.
▲ Дэсик Пак (Daesik Park), выдающийся инженер по разработке PCIe, выступает с презентацией
В рамках сессии презентаций Дэсик Пак, выдающийся инженер по разработке PCIe, выступил в качестве второго докладчика в совместной презентации с Cadence, поделившись меняющимися рыночными тенденциями и реакцией SK hynix под теме «Решения PCI Express для HPC/AI Storage» и представив технологии памяти для ИИ, разрабатываемые для их решения.
Сначала Пак обрисовал технологические сдвиги, происходящие в области PCIe*. «Начиная с четвертого поколения, новое поколение появляется каждые два-три года, удваивая пропускную способность каждый раз, и, начиная с шестого поколения в особенности, оптимизация энергопотребления и сотрудничество между проектированием и техпроцессом стали еще более важными», — пояснил он. «Поскольку новые уровни памяти, включая HBM и HBF*, формируются для повышения производительности ИИ и GPU, PCIe стала ключевым интерфейсом, соединяющим эти уровни с GPU, CPU и сетями».
* PCIe (Peripheral Component Interconnect Express): высокоскоростной последовательный интерфейс ввода-вывода, используемый на материнских платах цифровых устройств * HBF (High Bandwidth Flash): технология памяти нового поколения на базе NAND, обсуждаемая как новый уровень памяти между HBM и SSD. Подобно HBM, она применяет логический процесс к базовому кристаллу, обеспечивая гораздо большую емкость, чем HBM, при сохранении сопоставимой пропускной способности и экономической эффективности
Он также поделился прогнозами рынка и реакцией SK hynix. «По мере расширения инфраструктуры ИИ ожидается, что рынок eSSD на базе PCIe вырастет примерно в 3,8 раза — с 509 ЭБ* в 2026 году до 1933 ЭБ в 2030 году», — отметил Пак. «По мере роста спроса на высокую емкость, высокую плотность и эффективность охлаждения спрос на форм-факторы E1.S и E3 также будет быстро расти». Он продолжил: «SK hynix разработала широкий спектр контроллеров SSD с использованием техпроцессов TSMC со времен PCIe третьего поколения, а для шестого и седьмого поколений мы готовим решения SSD нового поколения на базе чиплетов*. Конструкция разделяет обычный однокристальный контроллер на блоки чипчетов*, соединенные через UCIe*, что, как ожидается, обеспечит сокращение сроков разработки, независимые переходы поколений для каждой функции, расширение емкости и оптимизацию энергопотребления».
* EB (эксабайт): единица информационной емкости; 1 ЭБ (эксабайт) равен 1 миллиону ТБ (терабайт) * Чиплет: технология, которая разделяет один крупный чип по функционалу на несколько более мелких микросхем, а затем соединяет их в рамках одного корпуса. Поскольку каждую функцию можно разрабатывать и комбинировать независимо, это сокращает время разработки и повышает гибкость проектирования * UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express): открытый стандарт интерфейса для соединения различных чипчетов в рамках одного корпуса
В SK hynix заявили: «Получив награду “Партнер года” второй год подряд на этой конференции OIP, мы в очередной раз подтвердили результаты сотрудничества, выстроенного с TSMC». Компания добавила: «Мы продолжим тесно сотрудничать с самыми разными партнерами для создания решений памяти, востребованных в эпоху искусственного интеллекта»
