- Двустороннее охлаждение (DSC) уменьшает площадь корпуса на 57% по сравнению с TOLT, позволяя размещать больше мощности в компактных мегаваттных стойках.
- Одно из самых низких сопротивлений в открытом состоянии в классе 650 В: 20 мОм в корпусе 8x8 мм.
- Единый источник для реализации 800-вольтовых систем со стандартным для отрасли посадочным местом PQFN, а также полным набором контроллеров, драйверов и микроконтроллеров. Эти решения будут представлены на OCP Global Summit в Сан-Хосе, Калифорния, 12–15 октября.
ТОКИО, Япония — Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723), ведущий поставщик передовых полупроводниковых решений, сегодня представила первый в отрасли 650-вольтовый GaN-прибор с двусторонним охлаждением для высокоплотного преобразования энергии в 800-вольтовых архитектурах (HVDC) дата-центров ИИ. Новый прибор D-типа TP65H020G4PLSGBD обеспечивает сопротивление в открытом состоянии 20 мОм — одно из самых низких в своем классе — в сверхкомпактном корпусе PQFN с двусторонним охлаждением (DSC), который позволяет обрабатывать больше мощности при меньших габаритах. В настоящее время Renesas предоставляет образцы устройства крупным OEM- и ODM-производителям оборудования для дата-центров ИИ.
Созданный на базе архитектуры Gen IV Plus GaN, этот прибор специально разработан для удовлетворения потребностей мегаваттных систем, обеспечивающих работу дата-центров ИИ следующего поколения с напряжением до 700 В. Он предназначен для каскадов промежуточных шинных преобразователей (IBC) 800 В DC/DC, понижающих напряжение до 48 В, 12 В или 6 В, а также для систем резервного питания (BBU) и блоков конденсаторов (CBU) в стойках питания.
Поскольку мощность стоек растет с примерно 120 кВт до мегаваттного уровня, пространство и теплоотвод становятся критическими факторами для поддержания производительности. В отличие от обычных корпусов с охлаждением только сверху, новый прибор рассеивает тепло как сверху, так и снизу, снижая тепловое сопротивление верхней стороны на 10%. Его посадочное место PQFN 8x8 мм также на 57% меньше, чем у существующего корпуса TOLT 10x15 мм.
Устройство вобрало в себя все преимущества технологии Renesas Gen IV Plus 650V GaN: низкий заряд затвора и выходную емкость, встроенный диод с минимальным обратным восстановлением и высокое пороговое напряжение, позволяющее работать без отрицательного смещения затвора. Инженеры могут управлять им с помощью стандартного кремниевого драйвера затвора, переключаться в диапазоне частот МГц для минимизации пассивных компонентов и снижения общей стоимости спецификации (BOM) без необходимости использования специализированного драйвера E-mode.
«Клиенты, создающие мегаваттные дата-центры ИИ, сталкиваются с нехваткой места на платах и теплового запаса еще до достижения пределов мощности, — сказал Джон Виггенхорн, старший директор по продуктовой линейке высоковольтных GaN-решений в Renesas. — Благодаря первому в отрасли 650-вольтовому GaN-транзистору с двусторонним охлаждением мы охлаждаем устройство с обеих сторон и значительно уменьшаем занимаемую площадь, поэтому разработчики могут передавать больше мощности через промежуточную шину без перепроектирования платы или добавления дополнительного оборудования для охлаждения. А поскольку сохраняется простота управления, характерная для кремниевых драйверов затворов, которые уже используют клиенты, это чрезвычайно простое обновление».
Новый корпус PQFN с двусторонним охлаждением (DSC) был разработан в сотрудничестве с крупными клиентами в сфере инфраструктуры ИИ, что обеспечивает стандартное для отрасли посадочное место для гибкости поставок. В сочетании с AUX-контроллерами, драйверами затворов и микроконтроллерами Renesas, этот GaN-прибор создает комплексное решение для питания от Renesas для OEM, ODM и гиперскейлеров, переходящих на 800-вольтовые архитектуры.
Renesas уже подтвердила эффективность этого подхода на кремнии. Эталонный дизайн 6-киловаттного LLC DC-трансформатора (DCX) 800 В – 48 В, построенный на базе нового устройства и управляемый микроконтроллером Renesas RA6T3, достигает плотности мощности 2,6 кВт/дюйм³, при этом тестирование каждого модуля показало КПД при полной нагрузке на 0,21% выше, чем у аналогичной платы на базе TOLT. Меньший размер корпуса также экономит место на печатной плате и позволяет лучше оптимизировать компоновку FET-транзисторов. Эталонные дизайны IBC 800 В – 12 В и 6 В DC/DC также используют новую платформу DSC 8x8, обеспечивая аналогичные повышенные показатели производительности, масштабируемости и плотности мощности.
Renesas продемонстрирует новый GaN-прибор TP65H020G4PLSGBD в составе своих 800-вольтовых решений для питания на OCP Global Summit, который пройдет 12–15 октября в Сан-Хосе, Калифорния.
Доступность
TP65H020G4PLSGBD доступен для заказа в виде образцов уже сегодня. Массовое производство запланировано на середину 2027 года. Дополнительную информацию о GaN-решениях Renesas можно найти на сайте: renesas.com/gan-fets.
Энергия от Renesas
Опираясь на инновации, качество и надежность, Renesas является лидером в области силовой электроники, ежегодно поставляя более четырех миллиардов компонентов из нашего портфеля микросхем управления питанием, дискретных и широкозонных GaN-продуктов, вычислительных устройств питания и многих других. Эти продукты охватывают все основные сегменты, включая автомобильную промышленность, IoT, инфраструктуру и промышленные приложения. Наш портфель решений по питанию легко интегрируется с нашими ведущими микроконтроллерами, микропроцессорами, SoC и аналоговыми решениями, упрощая и ускоряя процесс проектирования с помощью сотен проверенных инженерами «Выигрышных комбинаций» (Winning Combinations) и инновационных инструментов, таких как программное обеспечение для проектирования PowerCompass™ и PowerNavigator™. Узнайте больше на сайте renesas.com/power.
О компании Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) расширяет возможности для более безопасного, умного и устойчивого будущего, где технологии помогают сделать нашу жизнь проще. Являясь ведущим мировым поставщиком микроконтроллеров, Renesas объединяет наш опыт в области встроенной обработки данных, аналоговых технологий, питания и связи для предоставления комплексных полупроводниковых решений. Эти «Выигрышные комбинации» ускоряют вывод на рынок продуктов для автомобильной, промышленной, инфраструктурной сфер и приложений IoT, обеспечивая работу миллиардов подключенных интеллектуальных устройств, которые улучшают то, как люди работают и живут. Узнайте больше на сайте renesas.com. Подписывайтесь на нас в LinkedIn, Facebook, X, YouTube и Instagram.
(Примечания) Все названия продуктов или услуг, упомянутые в этом пресс-релизе, являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками соответствующих владельцев.
Содержание пресс-релиза, включая, помимо прочего, цены на продукцию и технические характеристики, основано на информации по состоянию на дату, указанную в документе, но может быть изменено без предварительного уведомления.
